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LGB8207TH

更新时间: 2023-12-06 20:13:07
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力特 - LITTELFUSE 驱动双极性晶体管高压装置驱动器
页数 文件大小 规格书
10页 494K
描述
这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管(IGBT)配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路,可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。 功能与特色: 应用: 终端产品:

LGB8207TH 数据手册

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Datasheet  
4. Electrical Characteristics Off  
Value  
Typ  
350  
365  
0.1  
1.0  
85  
Characteristic  
Sym bol  
Conditions  
Tem perature  
Unit  
Min  
325  
340  
-
Max  
IC = 2.0 mA  
IC = 10 mA  
375  
390  
2.0  
5
Collector-Emitter Clamp Voltage  
BV  
CES  
V
TJ = -40 °C to 150 °C  
V
CE = 24 V, VGE = 0 V  
TJ = 25 °C  
TJ = 25 °C  
-
Zero Gate Voltage Collector Current  
ICES  
µA  
V
CE = 250 V, VGE = 0 V  
TJ = 175 °C  
70  
-
150  
2.5  
0.85  
40  
TJ = -40 °C  
0.25  
0.25  
25  
TJ = 25 °C  
0.10  
20  
-
Reverse Collector-Emitter Leakage  
Current  
IECS  
VCE = -24 V  
TJ = 175 °C  
mA  
V
TJ = -40 °C  
0.03  
33  
0.3  
39  
TJ = 25 °C  
30  
30  
29  
12  
500  
14.25  
-
Reverse Collector-Emitter Clamp  
Voltage  
BV  
CES(R)  
IC = -75 mA  
TJ = 175 °C  
36  
42  
TJ = -40 °C  
32  
35  
Gate-Emitter Clamp Voltage  
Gate-Emitter Leakage Current  
Gate-Emitter Resistor  
Gate Resistor  
BVGES  
IGES  
IG = ±5.0 mA  
TJ = -40 °C to 175 °C  
TJ = -40 °C to 175 °C  
TJ = -40 °C to 175 °C  
TJ = -40 °C to 175 °C  
13  
14.5  
1000  
25  
V
VGE = ±10.0 V  
700  
16  
µA  
RGE  
RG  
-
-
70  
-
4
Specifications are subject to change without notice.  
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© 2020 Littelfuse, Inc.  
Revised: 3/24/2020  

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