Datasheet > LGB8207TH

LGB8207TH

更新时间： 2023-12-06 20:13:07

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅驱动双极性晶体管高压装置驱动器
页数	文件大小	规格书
10页	494K
描述
这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管（IGBT）配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路，可用于感应线圈驱动器应用。主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。功能与特色: 应用: 终端产品:

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

LGB8207TH 数据手册

Datasheet

8. Figure Data

Figure 1. Typical Self Clam ped Inductive Sw itching

Perform ance (SCIS) @ 25 °C

Figure 2. Typical Self Clam ped Inductive Sw itching

Perform ance (SCIS) @ 150 °C

70 µs, 40 A,

510 mJ

35 µs, 39.8A,

250 mJ

140 µs, 25.6 A,

140 µs, 16 A,

400 mJ

660 mJ

175 µs, 21 A,

675 mJ

230 µs, 9 A,

375 mJ

100

150

200

250

300

100

150

200

250

Clam ping Tim e (µs)

Figure 3. Collector-Em itter Voltage vs. Collector Current

Figure 4. Collector-Em itter Voltage vs. J unction Tem perature

2.5

I_C= 20 A

V_GE= 4.0 V @ T_J= -40 °C

I_C= 15 A

I_C= 10 A

I_C= 6 A

1.5

V_GE= 4.0 V @ T_J= 25 °C

I_C= 8 A

0.5

V_GE= 4.0 V @ T_J= 175 °C

0.5

10 12 14 16 18 20 22

-50

-25

100 125 150 175

Collector Current, I_C(A)

J unction Tem perature, T_J(°C)

Figure 5. Output Characteristics (T_J= 25 °C)

Figure 6. Output Characteristics (T_J= -40 °C)

5.0 V

V_GE= 10 V

6.0 V

5.0 V

4.5 V

4.0 V

6.0 V

3.4 V

3.0 V

3.4 V

3.0 V

2.4 V

Collector-Em itter Voltage, V_CE(V)

Specifications are subject to change without notice.

Read complete Disclaimer Notice at www.littelfuse.com/disclaimer-electronics.

Revised: 3/24/2020

1...4 5 678 9 10

中文翻译

下载PDF

与LGB8207TH相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LGB8245TI	LITTELFUSE	获取价格	这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管（IGBT）配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路，可用于
LGBE3D02120F	LGE	获取价格	碳化硅肖特基
LGC24D225MAT2S1	KYOCERA AVX	获取价格	CAP CER 2.2UF 4V X5R 0805
LGC24Z225MAT2S1	KYOCERA AVX	获取价格	CAP CER 2.2UF 4V X7S 0805
LGC26D105MAT2S1	KYOCERA AVX	获取价格	CAP CER 1UF 6.3V X5R 0805
LGC2H101MELZ30	NICHICON	获取价格	LGC
LGC2H121MELZ35	NICHICON	获取价格	LGC
LGC2H151MELA30	NICHICON	获取价格	LGC
LGC2H151MELZ40	NICHICON	获取价格	LGC
LGC2H181MELA35	NICHICON	获取价格	LGC