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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIE, DIE OR CHIP | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.64 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.0001 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.0001 µA | 标称共模抑制比： | 95 dB |
| 频率补偿： | YES | 最大输入失调电压： | 10000 µV |
| JESD-30 代码： | X-XUUC-N | 低-偏置： | YES |
| 低-失调： | NO | 微功率： | YES |
| 湿度敏感等级： | 1 | 负供电电压上限： | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V | 功能数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIE |
| 封装等效代码： | DIE OR CHIP | 封装形状： | UNSPECIFIED |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | +-15 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称压摆率： | 1 V/us | 子类别： | Operational Amplifiers |
| 最大压摆率： | 1 mA | 供电电压上限： | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 标称均一增益带宽： | 1000 kHz |
| 最小电压增益： | 15000 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LF444MDA/NOPB | NSC |
获取价格 |
IC QUAD OP-AMP, 1 MHz BAND WIDTH, UUC, LEAD FREE PACKAGE, Operational Amplifier |
|
| LF444MWA | ROCHESTER |
获取价格 |
Operational Amplifier, 4 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, WAFER |
|
| LF444QML | TI |
获取价格 |
LF444QML Quad Low Power JFET Input Operational Amplifier |
|
| LF444TDA1 | TI |
获取价格 |
四路低功耗 JFET 输入运算放大器 | TD | 0 | 0 to 0 |
|
| LF444TDA2 | TI |
获取价格 |
四路低功耗 JFET 输入运算放大器 | TD | 0 | 0 to 0 |
|
| LF4460 | LUXPIA |
获取价格 |
Video Memory / FIFO |
|
| LF4460BI-150 | LOGIC |
获取价格 |
FIFO, 2MX24, Synchronous, CMOS, PBGA172, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-172 |
|
| LF451 | NSC |
获取价格 |
LF451 Wide-Bandwidth JFET-Input Operational Amplifier |
|
| LF451CM | NSC |
获取价格 |
LF451 Wide-Bandwidth JFET-Input Operational Amplifier |
|
| LF-452 | SIRENZA |
获取价格 |
Wideband RF/pulse Transformers .01-10 MHz/.01-5 MHz |
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