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LF356MDC

更新时间： 2024-11-22 15:46:15

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罗彻斯特 - ROCHESTER		放大器
页数	文件大小	规格书
26页	1146K
描述
Operational Amplifier, 1 Func, 13000uV Offset-Max, BIPolar, DIE

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LF356MDC 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	DIE,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.61
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.0002 µA
标称共模抑制比：	100 dB	最大输入失调电压：	13000 µV
JESD-30 代码：	X-XUUC-N	负供电电压上限：	-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V	功能数量：	1
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIE
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	UNCASED CHIP
标称压摆率：	12 V/us	子类别：	Operational Amplifier
供电电压上限：	18 V	标称供电电压 (Vsup)：	15 V
表面贴装：	YES	技术：	BIPOLAR
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	标称均一增益带宽：	5000 kHz
Base Number Matches：	1

LF356MDC 数据手册

December 2001

LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357

JFET Input Operational Amplifiers

n Logarithmic amplifiers

n Photocell amplifiers

These are the first monolithic JFET input operational ampli-

n Sample and Hold circuits

General Description

fiers to incorporate well matched, high voltage JFETs on the

Common Features

™

same chip with standard bipolar transistors (BI-FET Tech-

nology). These amplifiers feature low input bias and offset

currents/low offset voltage and offset voltage drift, coupled

with offset adjust which does not degrade drift or

common-mode rejection. The devices are also designed for

high slew rate, wide bandwidth, extremely fast settling time,

low voltage and current noise and a low 1/f noise corner.

n Low input bias current: 30pA

n Low Input Offset Current: 3pA

n High input impedance: 10¹²Ω

n Low input noise current:

n High common-mode rejection ratio: 100 dB

n Large dc voltage gain: 106 dB

Features

Advantages

Uncommon Features

n Replace expensive hybrid and module FET op amps

n Rugged JFETs allow blow-out free handling compared

with MOSFET input devices

n Excellent for low noise applications using either high or

low source impedance—very low 1/f corner

n Offset adjust does not degrade drift or common-mode

rejection as in most monolithic amplifiers

n New output stage allows use of large capacitive loads

(5,000 pF) without stability problems

LF155/ LF156/ LF257/

Units

LF355

LF256/

LF356

1.5

LF357

(A_V=5)

1.5

Extremely

fast settling

time to

µs

0.01%

Fast slew

rate

V/µs

MHz

n Internal compensation and large differential input voltage

capability

Wide gain

bandwidth

Low input

noise

2.5

Applications

n Precision high speed integrators

n Fast D/A and A/D converters

n High impedance buffers

voltage

n Wideband, low noise, low drift amplifiers

Simplified Schematic

00564601

3pF in LF357 series.

™

BI-FET , BI-FET II are trademarks of National Semiconductor Corporation.

DS005646

www.national.com

12 3 4 5 6 7...26

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LF356-MIL	TI	获取价格	JFET Input Operational Amplifier
LF356MWC	TI	获取价格	暂无描述
LF356MX	TI	获取价格	JFET Input Operational Amplifiers
LF356MX	NSC	获取价格	JFET Input Operational Amplifiers
LF356MX/NOPB	NSC	获取价格	IC OP-AMP, 13000 uV OFFSET-MAX, 5 MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOP-8, Operational Amplifier
LF356MX/NOPB	TI	获取价格	JFET Input Operational Amplifiers
LF356N	PHILIPS	获取价格	Operational Amplifier, 1 Func, 13000uV Offset-Max, PDIP8
LF356N	STMICROELECTRONICS	获取价格	WIDE BANDWIDTH SINGLE J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS
LF356N	NSC	获取价格	JFET Input Operational Amplifiers
LF356N	TI	获取价格	JFET Input Operational Amplifiers

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