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LF356N

更新时间： 2024-11-21 22:47:11
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 运算放大器放大器电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
23页 1080K
描述
JFET Input Operational Amplifiers

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LF356N 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：DIP包装说明：PLASTIC, DIP-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.09放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB)：0.0002 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.0002 µA最小共模抑制比：80 dB
标称共模抑制比：100 dB频率补偿：YES
最大输入失调电流 (IIO)：0.002 µA最大输入失调电压：13000 µV
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e0
长度：9.817 mm低-偏置：YES
低-失调：NO湿度敏感等级：1
负供电电压上限：-18 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE包装方法：RAIL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：+-15 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
标称压摆率：12 V/us子类别：Operational Amplifier
最大压摆率：10 mA供电电压上限：18 V
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：NO
技术：BIPOLAR温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40标称均一增益带宽：5000 kHz
最小电压增益：15000宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

LF356N 数据手册

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December 2001  
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357  
JFET Input Operational Amplifiers  
n Logarithmic amplifiers  
n Photocell amplifiers  
These are the first monolithic JFET input operational ampli-  
n Sample and Hold circuits  
General Description  
fiers to incorporate well matched, high voltage JFETs on the  
Common Features  
™
same chip with standard bipolar transistors (BI-FET Tech-  
nology). These amplifiers feature low input bias and offset  
currents/low offset voltage and offset voltage drift, coupled  
with offset adjust which does not degrade drift or  
common-mode rejection. The devices are also designed for  
high slew rate, wide bandwidth, extremely fast settling time,  
low voltage and current noise and a low 1/f noise corner.  
n Low input bias current: 30pA  
n Low Input Offset Current: 3pA  
n High input impedance: 1012Ω  
n Low input noise current:  
n High common-mode rejection ratio: 100 dB  
n Large dc voltage gain: 106 dB  
Features  
Advantages  
Uncommon Features  
n Replace expensive hybrid and module FET op amps  
n Rugged JFETs allow blow-out free handling compared  
with MOSFET input devices  
n Excellent for low noise applications using either high or  
low source impedance—very low 1/f corner  
n Offset adjust does not degrade drift or common-mode  
rejection as in most monolithic amplifiers  
n New output stage allows use of large capacitive loads  
(5,000 pF) without stability problems  
LF155/ LF156/ LF257/  
Units  
LF355  
LF256/  
LF356  
1.5  
LF357  
(AV=5)  
1.5  
j
Extremely  
fast settling  
time to  
4
µs  
0.01%  
j
j
j
Fast slew  
rate  
5
12  
5
50  
20  
12  
V/µs  
MHz  
n Internal compensation and large differential input voltage  
capability  
Wide gain  
bandwidth  
Low input  
noise  
2.5  
20  
Applications  
n Precision high speed integrators  
n Fast D/A and A/D converters  
n High impedance buffers  
12  
voltage  
n Wideband, low noise, low drift amplifiers  
Simplified Schematic  
00564601  
*
3pF in LF357 series.  
™
™
BI-FET , BI-FET II are trademarks of National Semiconductor Corporation.  
© 2001 National Semiconductor Corporation  
DS005646  
www.national.com  
1234567...23

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LF356N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
LF356N/NOPB NSC

完全替代

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LF356N/NOPB TI

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