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LC33864M-80

更新时间: 2024-11-05 22:19:39
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 195K
描述
512K PSEUDO SRAM

LC33864M-80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP, SOP32,.56
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:80 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:20.7 mm内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:PSEUDO STATIC RAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP32,.56
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.2 mm
最大待机电流:0.001 A子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:0.07 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:11.2 mm
Base Number Matches:1

LC33864M-80 数据手册

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