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LBAW56DW1T1G

更新时间： 2024-10-29 01:12:43
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 165K
描述
Monolithic Dual Switching Diode

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LBAW56DW1T1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PDSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
配置：2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.715 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G2元件数量：4
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.2 W
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向电流：50 µA
最大反向恢复时间：0.006 µs反向测试电压：70 V
子类别：Other Diodes表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

LBAW56DW1T1G 数据手册

 浏览型号LBAW56DW1T1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LBAW56DW1T1G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Monolithic Dual Switching Diode  
Common Anode  
Features  
LBAW56DW1T1G  
We declare that the material of product  
compliance with RoHS requirements.  
•
z
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
S-LBAW56DW1T1G  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101  
Qualified and PPAP Capable.  
6
5
ORDERING INFORMATION  
4
Device  
PACKAGE  
Shipping  
LBAW56DW1T1G  
S-LBAW56DW1T1G  
3000 Tape & Reel  
SC88  
1
2
3
LBAW56DW1T3G  
S-LBAW56DW1T3G  
10000 Tape & Reel  
SC88  
SOT 363/SC-88  
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
Rating  
Symbol  
V R  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
1
2
3
6
5
4
Reverse Voltage  
Forward Current  
I F  
200  
500  
mAdc  
mAdc  
Peak Forward Surge Current  
IFM(surge)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR– 4 Board, (1)  
TA = 25°C  
PD  
200  
mW  
Derate above 25°C  
1.6  
600  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
RθJA  
PD  
FR-4 Board(2), TA = 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
RθJA  
400  
TJ , Tstg  
–55 to +150  
DEVICE MARKING  
LBAW56DW1T1G = A1  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
(I (BR) = 100 µAdc)  
Reverse Voltage Leakage Current  
(VR = 25 Vdc, TJ = 150 °C)  
(V R = 70 Vdc)  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
V (BR)  
I R  
70  
–
Vdc  
µAdc  
–
–
–
–
30  
2.5  
50  
3
(V R = 70 Vdc, T J = 150 °C)  
Diode Capacitance  
C
pF  
D
(V R = 0, f = 1.0 MHz)  
Forward Voltage  
V
mVdc  
F
(I F = 1.0 mAdc)  
–
–
–
–
–
715  
855  
(I F = 10 mAdc)  
(I F = 50 mAdc)  
1000  
1250  
6.0  
(I F = 150 mAdc)  
Reverse Recovery Time  
(I F = IR = 10 mAdc, IR(REC) = 1.0 mAdc) (Figure 1) RL = 100Ω  
1. FR-5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
t rr  
ns  
Rev.A 1/3  
123

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