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LBAW56WT3G

更新时间： 2024-10-28 05:41:31
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 170K
描述
Dual Switching Diodes

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LBAW56WT3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.715 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流：0.5 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.3 W
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向恢复时间：0.006 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

LBAW56WT3G 数据手册

 浏览型号LBAW56WT3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LBAW56WT3G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Dual Switching Diodes  
Features  
LBAW56WT1G  
We declare that the material of product  
compliance with RoHS requirements.  
•
3
1
DEVICE MARKING  
2
LBAW56WT1G = A1  
CASE 419–04, STYLE 4  
SOT–323 (SC–70)  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
Rating  
Symbol  
Max  
Unit  
CATHODE  
2
CATHODE  
1
Reverse Voltag  
VR  
IF  
70  
Vdc  
Forward Current  
200  
500  
mAdc  
mAdc  
3
Peak Forward Surge Current  
IFM(surge)  
ANODE  
Ordering Information  
Device  
Marking  
A1  
Shipping  
LBAW56WT1G  
3000/Tape&Reel  
LBAW56WT3G  
A1  
10000/Tape&Reel  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Total Device Dissipation FR–5 Board(1)  
TA = 25°C  
Symbol  
Max  
Unit  
PD  
200  
mW  
Derate above 25°C  
1.6  
0.625  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
RθJA  
PD  
Alumina Substrate(2) TA = 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
RθJA  
TJ, Tstg  
–55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
(I(BR) = 100 µAdc)  
V(BR)  
IR  
70  
—
Vdc  
Reverse Voltage Leakage Current  
(VR = 25 Vdc, TJ = 150°C)  
(VR = 70 Vdc)  
µAdc  
—
—
—
—
30  
2.5  
50  
(VR = 70 Vdc, TJ = 150°C)  
Diode Capacitance  
CD  
VF  
2.0  
pF  
(VR = 0, f = 1.0 MHz)  
Forward Voltage  
mVdc  
(IF = 1.0 mAdc)  
—
—
—
—
—
715  
855  
(IF = 10 mAdc)  
(IF = 60 mAdc)  
1000  
1250  
6.0  
(IF = 150 mAdc)  
Reverse Recovery Time  
(IF = IR = 10 mAdc, RL = 100 Ω, IR(REC) = 1.0 mAdc) (Figure 1)  
1. FR–5 = 1.0 × 0.75 × 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 × 0.3 × 0.024 in. 99.5% alumina.  
trr  
ns  
1/3  
123

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