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LBAW56LT1G

更新时间： 2024-10-28 11:39:51
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 73K
描述
Monolithic Dual Switching Diode Common Anode

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LBAW56LT1G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
Is Samacsys：N配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.715 VJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流：0.5 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.225 W
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向恢复时间：0.006 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

LBAW56LT1G 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Monolithic Dual Switching Diode  
Common Anode  
LBAW56LT1  
1
• Pb−Free Package is Available.  
CATHODE  
3
3
ANODE  
2
CATHODE  
1
2
SOT– 23 (TO–236AB)  
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
Rating  
Symbol  
V R  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
Reverse Voltage  
Forward Current  
I F  
200  
500  
mAdc  
mAdc  
Peak Forward Surge Current  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
IFM(surge)  
ORDERING INFORMATION  
Device  
PACKAGE  
Shipping  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR- 5 Board (1)  
T A = 25 °C  
erate above 25 °C  
PD  
225  
mW  
LBAW56LT1  
3000 Tape & Reel  
3000 Tape & Reel  
SOT-23  
SOT-23  
LBAW56LT1G  
1.8  
556  
300  
mW /°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
Alumina Substrate, (2) T A = 25 °C  
Derate above 25 °C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
LBAW56LT1 = A1  
RθJA  
PD  
2.4  
mW /°C  
°C/W  
°C  
RθJA  
417  
T J , T stg -55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
(I (BR) = 100 µAdc)  
Reverse Voltage Leakage Current  
(VR = 25 Vdc, TJ = 150 °C)  
(V R = 70 Vdc)  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
V (BR)  
I R  
70  
–
Vdc  
µAdc  
–
–
–
–
30  
2.5  
50  
(V R = 70 Vdc, T J = 150 °C)  
Diode Capacitance  
C
2.0  
pF  
D
(V R = 0, f = 1.0 MHz)  
Forward Voltage  
V
mVdc  
F
(IF = 1.0 mAdc)  
–
–
–
–
–
715  
855  
(I F = 10 mAdc)  
(IF = 50 mAdc)  
1000  
1250  
6.0  
(IF = 150 mAdc)  
Reverse Recovery Time  
(I F = I R = 10 mAdc, I R(REC) = 1.0 mAdc) (Figure 1) RL = 100Ω  
1. FR-5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
t rr  
ns  
LBAW56LT1-1/3  
123

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