生命周期: | Active | 包装说明: | R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.61 | 最小击穿电压: | 1000 V |
配置: | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
最大非重复峰值正向电流: | 30 A | 元件数量: | 4 |
相数: | 1 | 端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 1 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
最大重复峰值反向电压: | 1000 V | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LB10S-T3-LF | WTE |
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Rectifier Diode | |
LB1100 | ETC |
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LB1101 | ETC |
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LB1102AB | ETC |
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LB1102AS | ETC |
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Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
LB1103 | ETC |
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LB1105M | SANYO |
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6-Channel X 4-Unit Diode Array | |
LB1108AD | ETC |
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Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
LB1109AB | ETC |
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Isolation Amplifier | |
LB111 | SEOUL |
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INFRARED LAMP LED |