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L7C199IMB20

更新时间： 2024-11-15 20:23:23

品牌	Logo	应用领域
逻辑 - LOGIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	476K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28

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L7C199IMB20 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP28,.6
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	20 ns	其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER OPERATION; BATTERY BACKUP OPERATION
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-GDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	36.83 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.0002 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.145 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
L7C199IMB20L	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
L7C199IMB25	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
L7C199IMB25L	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
L7C199IMB35	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
L7C199IMB35L	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
L7C199IMB45	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
L7C199IMB-45	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C199IME20	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
L7C199IME-20	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C199IME-25	ETC	获取价格	x8 SRAM