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L7C199IME20

更新时间: 2024-09-28 14:00:27
品牌 Logo 应用领域
逻辑 - LOGIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 293K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28

L7C199IME20 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP28,.6
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:20 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-GDIP-T28
JESD-609代码:e0长度:36.83 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883 Class B (Modified)
座面最大高度:5.08 mm最大待机电流:0.005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.17 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

L7C199IME20 数据手册

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