是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP24,.3 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.6 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 25 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER OPERATION; BATTERY BACKUP OPERATION |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 31.75 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 1 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 256KX1 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP24,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.0002 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.1 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
L7C197CMB35 | LOGIC |
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Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 | |
L7C197CMB-45 | ETC |
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x1 SRAM | |
L7C197CME15 | LOGIC |
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Standard SRAM, 256KX1, 15ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 | |
L7C197CME-15 | ETC |
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x1 SRAM | |
L7C197CME20 | LOGIC |
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Standard SRAM, 256KX1, 20ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 | |
L7C197CME-20 | ETC |
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x1 SRAM | |
L7C197CME-25 | ETC |
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x1 SRAM | |
L7C197CME-35 | ETC |
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x1 SRAM | |
L7C197CME-45 | ETC |
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x1 SRAM | |
L7C197DC12 | LOGIC |
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Standard SRAM, 256KX1, 12ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-2 |