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L6116TME35

更新时间： 2024-11-12 21:07:39

品牌	Logo	应用领域
逻辑 - LOGIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	767K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

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L6116TME35 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCN, LCC32,.45X.55	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CQCC-N32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	32
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC32,.45X.55	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class B (Modified)
座面最大高度：	3.048 mm	最大待机电流：	0.00015 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.075 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
L6116UC10	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 10ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-24
L6116UC12	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 12ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-24
L6116UC15	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-24
L6116UC20	ETC	获取价格	x8 SRAM
L6116UC25	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-24
L6116UC35	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-24
L6116UC45	ETC	获取价格	x8 SRAM
L6116UC85	ETC	获取价格	x8 SRAM
L6116WC10	ETC	获取价格	x8 SRAM
L6116WC10L	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 10ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24