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KTD2686

更新时间： 2024-11-18 05:41:03
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 45K
描述
DARLINGTON TRANSISTOR

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KTD2686 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82其他特性：BUILT IN BIAS RESISTORS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：2000JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KTD2686 数据手册

 浏览型号KTD2686的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KTD2686  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
DARLINGTON TRANSISTOR.  
SOLENOID DRIVER. MOTOR DRIVER.  
A
H
C
FEATURES  
High DC Current Gain  
: hFE=2000(Min.) (VCE=2V, IC=1A)  
G
DIM MILLIMETERS  
A
B
C
D
E
F
4.70 MAX  
_
D
+
2.50 0.20  
D
MAXIMUM RATINGS (Ta=25  
)
1.70 MAX  
0.45+0.15/-0.10  
4.25 MAX  
K
F
F
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
50  
UNIT  
V
_
1.50+0.10  
G
H
J
0.40 TYP  
1.75 MAX  
1
2
3
V
60 10  
0.75 MIN  
K
0.5+0.10/-0.05  
8
1
V
DC  
Collector Current  
A
A
1. BASE  
ICP  
Pulse  
3
2. COLLECTOR (HEAT SINK)  
3. EMITTER  
IB  
Base Current  
0.5  
2.5  
1
t=10S  
DC  
Collector Power  
Dissipation  
PC  
*
W
Tj  
Junction Temperature  
150  
SOT-89  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
* Pc : Package mounted on FR4 board (Cu area : 645 , glass epoxy, t=1.6  
)
COLLECTOR  
EQUIVALENT CIRCUIT  
Marking  
Lot No.  
BASE  
Type Name  
300Ω  
−
5kΩ  
−
EMITTER  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
VCB=45V, IE=0  
-
-
-
10  
10  
4
A
A
Collector Cut-off Current  
ICEO  
VCE=45V, IB=0  
VEB=8V, IC=0  
-
0.8  
50  
2000  
-
IEBO  
Emitter Cut-off Current  
-
mA  
V
V(BR)CEO  
hFE  
VCE(sat)  
VCE(sat)  
IC=10mA, IB=0  
VCE=2V, IC=1A  
IC=0.5A, IB=1mA  
IC=1A, IB=1mA  
IC=1A, IB=1mA  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
60  
-
70  
-
1
2
-
1.2  
1.5  
2.0  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
V
V
-
-
VBE(sat)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Turn On Time  
-
-
V
=30V  
CC  
ton  
-
-
-
0.4  
4.0  
0.6  
-
-
-
30Ω  
OUTPUT  
20µs  
Switching  
Storage Time  
Time  
tstg  
S
5V  
INPUT  
0V  
<
DUTY CYCLE 1%  
tf  
Fall Time  
=
2004. 11. 22  
Revision No : 1  
1/2  
12

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