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KTD2854

更新时间： 2024-09-28 22:47:27

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KEC		晶体开关晶体管功率放大器电机驱动局域网
页数	文件大小	规格书
3页	90K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MICRI MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING POWER AMPLIFIER)

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KTD2854 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, R-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	R-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

KTD2854 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTD2854

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE APPLICATIONS.

SWITCHING APPLICATIONS.

POWER AMPLIFIER APPLICATION.

FEATURES

ᴌHigh DC Current Gain

DIM MILLIMETERS

DEPTH:0.2

7.20 MAX

5.20 MAX

0.60 MAX

: h_FE=2000(Min.) (V_CE=2V, I_C=1A)

ᴌLow Saturation Voltage

: V_CE(sat)=1.5V(Max.) (I_C=1A, I_B=1mA)

ᴌComplementary to KTB2234.

2.50 MAX

1.15 MAX

1.27

1.70 MAX

0.55 MAX

14.00+0.50

0.35 MIN

0.75+0.10

1.25

Φ1.50

0.10 MAX

MAXIMUM RATINGS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

12.50+0.50

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

1.00

100

TO-92L

Pulse

Collector Current

I_CP

0.5

I_B

Base Current

EQUIVALENT CIRCUIT

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

ᴱ

COLLECTOR

T_j

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55ᴕ150

BASE

∼

4kΩ

−

800Ω

−

EMITTER

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_CB=80V, I_E=0

ỌA

I_EBO

V_EB=8V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

V_(BR)CEO

h_FE

I_C=10mA, I_B=0

Collector-Emitter Breakdown Voltage

DC Current Gain

100

V_CE=2V, I_C=1A(Pulse)

I_C=1A, I_B=1mA(Pulse)

V_CE=2V, I_C=0.5A

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

2000

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

1.5

2.0

100

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

OUTPUT

t_on

t_stg

t_f

Turn On Time

0.4

4.0

0.6

20µs

INPUT

Switching

Storage Time

Time

ỌS

=-I =1mA

DUTY CYCLE 1%

Fall Time

=30V

2001. 10. 23

Revision No : 0

1/3

12 3

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