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KTA1021-O

更新时间： 2025-08-11 01:14:11

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PNP Transistors

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KTA1021-O 数据手册

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DIP Type

Transistors

PNP Transistors

KTA1021

TO-92M

Unit:mm

6.0 ± 0.2

■ Features

● Excellent hFE Linearity

● 1 Watt Amplifier Application

● Complementary to KTC1020

1.0 ±0.1

0.50 ±0.1

2

1

3

1.50

3.0 ±0.1

1.60 ^(max)

Emitter

1.

2.Collector

3.Base

4.0(min)

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector - Base Voltage

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Symbol

Rating

Unit

V

VCBO

VCEO

VEBO

-35

-30

-5

Collector Current - Continuous

Base Current

I

C

-500

-100

400

mA

mW

℃

I

B

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

PC

T

J

150

Storage Temperature range

T

stg

-55 to 150

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Emitter cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

-35

-30

-5

Ic= -100 uA， I

Ic= -1mA， I =0

= -100uA， I =0

CB= -35 V , I =0

EB= -5V , I =0

E=0

B

I

E

C

I

CBO

EBO

V

V

E

-100

-100

-0.25

-1.2

-1

nA

V

I

C

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

Base - emitter voltage

V

CE(sat)

BE(sat)

I

C

=-100 mA, I

B

=-10mA

=-10mA

V

I

C=-100 mA, I

B

V

BE

V

V

V

V

CE= -1V, I

CE= -1V, I

CB= -6V, I

^CE= -6V, I

C

= -100 mA

= -100mA

DC current gain

hFE

C

100

240

Collector output capacitance

Transition frequency

C

ob

T

E= 0,f=1MHz

13

pF

f

C= -20mA

200

MHz

■ Classification of hfe

Type

KTA1021-O

KTA1021-Y

120-240

Range

100-200

1

www.kexin.com.cn

12

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