Datasheet > KSR2112L99Z

KSR2112L99Z

更新时间： 2024-02-09 15:32:50

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	44K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KSR2112L99Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

KSR2112L99Z 数据手册

KSR2112

Switching Application ^{(Bias Resistor Built In)}

•

Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit

Built in bias Resistor (R=47KΩ)

Complement to KSR1112

SOT-23

1. Base 2. Emitter 3. Collector

Equivalent Circuit

Marking

R62

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

-40

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

CBO

-40

CEO

EBO

-5

-100

200

°C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55 ~ 150

°C

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

-40

Typ.

Max.

Units

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

I = -100µA, I =0

CBO

CEO

I = -1mA, I =0

-40

= -30V, I =0

-0.1

600

-0.3

µA

CBO

DC Current Gain

= -5V, I = -1mA

100

(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Output Capacitance

I = -10mA, I = -1mA

= -10V, I =0

5.5

f=1MHz

Current Gain Bandwidth Product

Input Resistor

= -10V, I = -5mA

200

MHz

KΩ

Rev. A1, July 2001

12 3

中文翻译

下载PDF

与KSR2112L99Z相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KSR2112S62Z	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
KSR2112TF	SAMSUNG	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,	获取价格
KSR2112TI	SAMSUNG	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,	获取价格
KSR2113	SAMSUNG	PNP (SWITCHING APPLICATION)	获取价格
KSR2113	FAIRCHILD	Switching Application	获取价格
KSR2113D87Z	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格