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KSR2106D87Z

更新时间： 2024-11-07 14:51:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 55K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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KSR2106D87Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.76最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：68JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

KSR2106D87Z 数据手册

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KSR2106  
Switching Application (Bias Resistor Built In)  
•
•
•
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit  
3
Built in bias Resistor (R =10KΩ, R =47KΩ)  
1
2
Complement to KSR1106  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Equivalent Circuit  
C
Marking  
R1  
B
R56  
R2  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
E
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-50  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-50  
V
CEO  
EBO  
-10  
V
I
-100  
200  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-50  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I = -10µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
C
E
BV  
I = -100µA, I =0  
-50  
C
B
I
V
= -40V, I =0  
-0.1  
-0.3  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
= -5V, I = -5mA  
68  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I = -10mA, I = -0.5mA  
V
CE  
C
B
C
V
= -10V, I =0  
5.5  
pF  
ob  
CB  
E
f=1.0MHz  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Input Off Voltage  
V
V
V
= -10V, I = -5mA  
200  
MHz  
V
T
CE  
CE  
CE  
C
V (off)  
= -5V, I = -100µA  
-0.3  
I
C
V (on)  
Input On Voltage  
= -0.3V, I = -1mA  
-1.4  
13  
V
I
C
R
Input Resistor  
7
10  
KΩ  
1
R /R  
Resistor Ratio  
0.19  
0.21  
0.24  
1
2
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, July 2001  
1234

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