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KSQ30A03LB

更新时间： 2024-11-23 14:51:55

品牌	Logo	应用领域
NIEC		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
1页	129K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 30V V(RRM), Silicon

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KSQ30A03LB 数据手册

30A Avg.

30 Volts

SBD

KSQ30A03LB

■最大定格ꢀMaximum Ratings

■

OUTLINE DRAWING(mm)

Item

Symbol

V_RRM

I_O

Conditions

Unit

く

り

返

し

ピ

ー

ク

逆

電

圧

流

Repetitive Peak Reverse Voltage

平

均

整

流

電

50Hz、正弦半波通電抵抗負荷

50Hz Half Sine Wave Resistive Load

Tc＝108℃

Average Rectified Forward Current

実

効

順

電

I_F(RMS)

I_FSM

47.1

R.M.S. Forward Current

サ

ー

ジ

順

電

50Hz正弦半波，１サイクル，非くり返しꢀ

50Hz Half Sine Wave,1cycle, Non-repetitive

400

Surge Forward Current

動

作

接

合

温

度範囲

T_jw

－40～＋150

℃

Operating Junction Temperature Range

保

存

温

度

範

囲

T_stg

F_tor

－40～＋150

℃

Storage Temperature Range

締

付

ト

ル

ク

推奨値

Recommended Value

0.5

N･m

Mounting torque

■APPROX. NET WEIGHT:5.55g

■電気的・熱的特性ꢀElectrical/Thermal Characteristics

Item

Symbol

I_RM

Conditions

Min.

－

Typ. Max. Unit

ピ

ー

ク

逆

電

流

圧

抗

一素子あたりꢀ

Per Diode

－

0.50

1.3

T_j＝25℃, V_RM＝V_RRM

Peak Reverse Current

ピ

ー

ク

順

T_j＝25℃, I_FM＝30A, ^{一素子あたりꢀ}

V_FM

－

Peak Forward Voltage

Per Diode

熱

抵

接合部･ケース間

Junction to Case

R_th(j-c)

－

℃/W

Thermal Resistance

■定格・特性曲線

FIG.1

ꢀ電ꢀ圧ꢀ特ꢀ性

FIG.2

FIG.3

180˚

順

平ꢀ均ꢀ順 ꢀ電ꢀ力ꢀ損ꢀ失ꢀ特ꢀ性

AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION

ピーク逆電流ꢀ－ꢀピーク逆電圧特性

PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE

Tj= 150

通流角

FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE

CONDUCTION ANGLE

KSQ30A03LB

D.C.

KSQ30A03LB

200

100

200

RECT 180˚

HALF SINE WAVE

RECT 120˚

平

ピ

瞬

時

順

均

順

RECT 60˚

｜

100

ク

逆

電

力

損

失

電

流

Tj=25˚C

電

500

Tj=150˚C

流

（Ａ）

（ｍＡ）

（Ｗ）

200

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

AVERAGE FORWARD CURRENT (A)

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

PEAK REVERSE VOLTAGE (V)

平ꢀ均ꢀ順 ꢀ電ꢀ流ꢀ（Ａ）

瞬ꢀ時ꢀ順 ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）

ピꢀーꢀクꢀ逆ꢀ電ꢀ圧（Ｖ）

FIG.4

FIG.5

FIG.6

180˚

平ꢀ均ꢀ順 ꢀ電ꢀ流ꢀ－ꢀケꢀーꢀスꢀ温ꢀ度ꢀ定ꢀ格

平ꢀ均ꢀ逆ꢀ電ꢀ力ꢀ損ꢀ失

AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION

サꢀーꢀジꢀ順 ꢀ電ꢀ流ꢀ定ꢀ格

SURGE CURRENT RATINGS

f=50Hz,Sine Wave,Non-Repetitive,No Load

通流角

AVERAGE FORWARD CURRENT VS. CASE TEMPERATURE

CONDUCTION ANGLE

V_RM=30V

KSQ30A03LB

D.C.

400

300

200

100

平

均

サ

｜

ジ

順

平

均

順

RECT 300˚

RECT 180˚

逆

電

力

損

失

HALF SINE WAVE

RECT 240˚

RECT 180˚

RECT 120˚

電

流

電

流

RECT 60˚

HALF SINE WAVE

（Ａ）

FSM

（Ｗ）

0.02s

100

125

150

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

TIME (s)

CASE TEMPERATURE (

REVERSE VOLTAGE (V)

ケꢀーꢀスꢀ温ꢀ度ꢀ（℃）

逆ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）

時ꢀ間ꢀ（ｓ）

FIG.7

接ꢀ合ꢀ容ꢀ量ꢀ特ꢀ性

JUNCTION CAPACITANCE VS. REVERSE VOLTAGE

Tj=25 C,Vm=20mVRMS,f=100kHz,Typical Value

KSQ30A03LB

10000

5000

接

合

容

量

2000

1000

500

（ｐＦ）

0.5

REVERSE VOLTAGE (V)

逆ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）

538

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KSQ30A04B	NIEC	获取价格	Schottky Barrier Diode
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KSQ60A03LB	NIEC	获取价格	Low Forward Voltage Drop Low Power Loss, High Efficiency, High Surge Current Capability
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