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KSQ30A03LB

更新时间： 2024-01-17 00:47:46
品牌 Logo 应用领域
NIEC 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
1页 129K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 30V V(RRM), Silicon

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KSQ30A03LB 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.75
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：400 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

KSQ30A03LB 数据手册

  
30A Avg.  
30 Volts  
SBD  
KSQ30A03LB  
■最大定格ꢀMaximum Ratings  
■
OUTLINE DRAWING(mm)  
Item  
Symbol  
VRRM  
IO  
Conditions  
30  
Unit  
V
く
り
返
し
ピ
ー
ク
逆
電
圧
流
流
流
Repetitive Peak Reverse Voltage  
平
均
整
流
電
50Hz、正弦半波通電抵抗負荷  
50Hz Half Sine Wave Resistive Load  
Tc＝108℃  
30  
A
Average Rectified Forward Current  
実
効
順
電
IF(RMS)  
IFSM  
47.1  
A
R.M.S. Forward Current  
サ
ー
ジ
順
電
50Hz正弦半波，１サイクル，非くり返しꢀ  
50Hz Half Sine Wave,1cycle, Non-repetitive  
A
400  
Surge Forward Current  
動
作
接
合
温
度範 囲  
Tjw  
－40～＋150  
℃
Operating Junction Temperature Range  
保
存
温
度
範
囲
Tstg  
Ftor  
－40～＋150  
℃
Storage Temperature Range  
締
付
ト
ル
ク
推奨値  
Recommended Value  
0.5  
N･m  
Mounting torque  
■APPROX. NET WEIGHT:5.55g  
■電気的・熱的特性ꢀElectrical/Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
IRM  
Conditions  
Min.  
－
Typ. Max. Unit  
ピ
ー
ク
逆
電
電
流
圧
抗
一素子あたりꢀ  
,
Per Diode  
－
－
－
25  
0.50  
1.3  
mA  
V
Tj＝25℃, VRM＝VRRM  
Peak Reverse Current  
ピ
ー
ク
順
Tj＝25℃, IFM＝30A, 一素子あたりꢀ  
VFM  
－
Peak Forward Voltage  
Per Diode  
熱
抵
接 合 部 ･ ケ ー ス 間  
Junction to Case  
Rth(j-c)  
－
℃/W  
Thermal Resistance  
■定格・特性曲線  
FIG.1  
ꢀ電ꢀ圧ꢀ特ꢀ性  
FIG.2  
FIG.3  
0
˚
180˚  
θ
順
平ꢀ均ꢀ順 ꢀ電ꢀ力ꢀ損ꢀ失ꢀ特ꢀ性  
AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION  
ピーク逆電流ꢀ－ꢀピーク逆電圧特性  
PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE  
Tj= 150  
通流角  
FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE  
CONDUCTION ANGLE  
˚
C
KSQ30A03LB  
D.C.  
KSQ30A03LB  
KSQ30A03LB  
24  
200  
100  
50  
200  
RECT 180˚  
HALF SINE WAVE  
RECT 120˚  
平
20  
16  
12  
8
ピ
瞬
時
順
均
順
RECT 60˚  
｜
100  
ク
逆
電
力
損
失
20  
10  
5
電
流
Tj=25˚C  
電
500  
Tj=150˚C  
流
（Ａ）  
（ｍＡ）  
4
（Ｗ）  
0
2
200  
0
10  
20  
30  
40  
50  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)  
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)  
PEAK REVERSE VOLTAGE (V)  
平ꢀ均ꢀ順 ꢀ電ꢀ流ꢀ（Ａ）  
瞬ꢀ時ꢀ順 ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）  
ピꢀーꢀクꢀ逆ꢀ電ꢀ圧 （Ｖ）  
FIG.4  
FIG.5  
FIG.6  
0
˚
180˚  
θ
平ꢀ均ꢀ順 ꢀ電ꢀ流ꢀ－ꢀケꢀーꢀスꢀ温ꢀ度ꢀ定ꢀ格  
平ꢀ均ꢀ逆ꢀ電ꢀ力ꢀ損ꢀ失  
AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION  
サꢀーꢀジꢀ順 ꢀ電ꢀ流ꢀ定ꢀ格  
SURGE CURRENT RATINGS  
f=50Hz,Sine Wave,Non-Repetitive,No Load  
通流角  
AVERAGE FORWARD CURRENT VS. CASE TEMPERATURE  
CONDUCTION ANGLE  
VRM=30V  
KSQ30A03LB  
KSQ30A03LB  
KSQ30A03LB  
50  
40  
30  
20  
10  
0
50  
D.C.  
D.C.  
400  
300  
200  
100  
0
平
均
40  
30  
20  
10  
0
サ
｜
ジ
順
平
均
順
RECT 300˚  
RECT 180˚  
逆
電
力
損
失
HALF SINE WAVE  
RECT 240˚  
RECT 180˚  
RECT 120˚  
電
流
電
流
RECT 60˚  
HALF SINE WAVE  
（Ａ）  
（Ａ）  
I
FSM  
（Ｗ）  
0.02s  
0
25  
50  
75  
100  
C)  
125  
150  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
1
2
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
TIME (s)  
CASE TEMPERATURE (  
˚
REVERSE VOLTAGE (V)  
ケꢀーꢀスꢀ温ꢀ度ꢀ（℃）  
逆ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）  
時ꢀ間ꢀ（ｓ）  
FIG.7  
接ꢀ合ꢀ容ꢀ量ꢀ特ꢀ性  
JUNCTION CAPACITANCE VS. REVERSE VOLTAGE  
Tj=25 C,Vm=20mVRMS,f=100kHz,Typical Value  
˚
KSQ30A03LB  
10000  
5000  
接
合
容
量
2000  
1000  
500  
（ｐＦ）  
0.5  
1
2
5
10  
20  
50  
REVERSE VOLTAGE (V)  
逆ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）  
538  
1

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