KSQ30A04B

更新时间： 2024-02-01 11:12:50

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NIEC		整流二极管肖特基二极管瞄准线局域网
页数	文件大小	规格书
6页	50K
描述
Schottky Barrier Diode

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KSQ30A04B 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.58 V
最大非重复峰值正向电流：	400 A	元件数量：	1
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	30 A
最大重复峰值反向电压：	40 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
Base Number Matches：	1

KSQ30A04B 数据手册

SBD T y p e : KSQ30A04B

OULINE DRAWING

FEATURES

* Similar to TO-247AC(TO-3P)Case

* Low Forward Voltage Drop

* Low Power Loss,High Efficiency

* High Surge Current Capability

* 40 Volts thru 60 Volts Types Available

Maximum Ratings

Approx Net Weight: 5.55g

KSQ30A04B

Rating

Symbol

V_RRM

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

50 Hz half Sine Wave

Resistive Load

Average Rectified Output Current

RMS Forward Current

I_O

30 Tc=107°C

I_F(RMS)

I_FSM

47.1

50Hz Half Sine Wave ,1cycle

Non-repetitive

Surge Forward Current

400

Operating JunctionTemperature Range

Storage Temperature Range

Mounting torque

T_jw

T_stg

Ftor

-40 to +150

recommended torque = 0.5

°C

N•m

Electrical • Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

Peak Reverse Current

Peak Forward Voltage

Thermal Resistance Junction to Case

I_RM

V_FM

Tj= 25°C, V_RM= V_RRM

Tj= 25°C, I_FM= 30 A

0.58

1.3 °C /W

Rth(j-c) Junction to Case

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