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KSP13TA PDF预览

KSP13TA

更新时间： 2024-11-24 20:05:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 31K
描述
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/AMMO

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KSP13TA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.24
最大集电极电流 (IC)：0.5 A配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：10000JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：125 MHzBase Number Matches：1

KSP13TA 数据手册

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KSP13/14  
Darlington Transistor  
•
•
Collector-Emitter Voltage: V  
Collector Power Dissipation: P (max)=625mW  
=30V  
CES  
C
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
30  
V
CES  
EBO  
10  
V
I
500  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
625  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
I =100µA, I =0  
30  
V
CES  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
V
=30V, I =0  
100  
100  
nA  
nA  
CB  
E
Emitter Cut-off Current  
V
=10V, I =0  
C
EB  
h
* DC Current Gain  
: KSP13  
FE  
V
V
=5V, I =10mA  
5K  
CE  
C
: KSP14  
: KSP13  
: KSP14  
10K  
10K  
20K  
=5V, I =100mA  
C
CE  
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I =100mA, I =0.1mA  
1.5  
2.0  
V
V
CE  
C
B
V
=5V, I =100mA  
C
BE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
=5V, I =10mA  
125  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

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KSP13TA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
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 		Darlington Transistor
KSP-14-B MSYSTEM

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