KSP14

更新时间： 2024-02-01 16:51:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管
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Darlington Transistor

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KSP14 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.5	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	20000
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	125 MHz
Base Number Matches：	1

KSP14 数据手册

KSP13/14

Darlington Transistor

•

Collector-Emitter Voltage: V

Collector Power Dissipation: P (max)=625mW

=30V

CES

TO-92

1. Emitter 2. Base 3. Collector

NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

CBO

CES

EBO

500

°C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

625

150

-55 ~ 150

°C

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Test Condition

Min.

Max.

Units

I =100µA, I =0

CES

CBO

EBO

=30V, I =0

100

Emitter Cut-off Current

=10V, I =0

* DC Current Gain

: KSP13

=5V, I =10mA

: KSP14

: KSP13

: KSP14

10K

20K

=5V, I =100mA

(sat)

(on)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

I =100mA, I =0.1mA

1.5

2.0

=5V, I =100mA

Current Gain Bandwidth Product

=5V, I =10mA

125

MHz

f=100MHz

* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%

Rev. A2, September 2002

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KSP14BU	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
KSP-14-C	MSYSTEM	获取价格	Plug-in Signal Conditioners K-UNIT
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