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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSC1623GMTF
KSC1623GMTF PDF预览

KSC1623GMTF

更新时间： 2024-11-13 22:14:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 振荡器晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 62K
描述
Low Frequency Amplifier & High Frequency OSC.

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KSC1623GMTF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.48
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

KSC1623GMTF 数据手册

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KSC1623  
Low Frequency Amplifier & High Frequency  
OSC.  
3
•
Complement to KSA812  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
60  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
50  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
100  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
200  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
90  
Typ.  
Max.  
0.1  
Units  
I
I
V
V
V
=60V, I =0  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
=5V, I =0  
0.1  
C
h
DC Current Gain  
=6V, I =1mA  
200  
0.15  
0.86  
0.62  
250  
3
600  
0.3  
FE  
C
V
V
V
(sat)  
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =100mA, I =10mA  
V
V
CE  
BE  
BE  
C
B
I =100mA, I =10mA  
1.0  
C
B
V
=6V, I =1mA  
0.55  
0.65  
V
CE  
CE  
CB  
C
f
V
V
=6V, I =10mA  
MHz  
pF  
T
C
C
=6V, I =0, f=1MHz  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
G
L
h
90 ~ 180  
135 ~ 270  
200 ~ 400  
300 ~ 600  
FE  
Marking  
C1O  
h
grade  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

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KSC1623GMTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSC1623GMTF ONSEMI

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