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KSA992FBU

更新时间： 2024-10-29 11:12:27

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安森美 - ONSEMI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	299K
描述
PNP外延硅晶体管

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KSA992FBU 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	1.15	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	300
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

KSA992FBU 数据手册

PNP Epitaxial Silicon

Transistor

KSA992

Features

• Audio Frequency Low−Noise Amplifier

• Complement to KSC1845

• These are Pb−Free Devices

www.onsemi.com

MAXIMUM RATINGS (Values are at T = 25°C unless otherwise noted.)

Symbol

Parameter

Collector−Base Voltage

Collector−Emitter Voltage

Emitter−Base Voltage

Collector Current

Value

−120

−5

Unit

CBO

1. Emitter

2. Collector

3. Base

CEO

EBO

−50

°C

TO−92 3 4.825x4.76 TO−92 3 4.83x4.76

CASE 135AN

LEADFORMED

CASE 135AR

Base Current

−10

Junction Temperature

Storage Temperature

150

STG

−55 to 150

MARKING DIAGRAM

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

AA9

92X

AA9

92X

YWW

THERMAL CHARACTERISTICS (Values are at T = 25°C unless otherwise

noted.) (Note 1)

Symbol

Parameter

Power Dissipation

Value

500

Unit

Derate Above 25°C

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

250

1. PCB size: FR−4, 76 mm x 114 mm x 1.57 mm (3.0 inch x 4.5 inch x 0.062 inch)

= Assembly Code

with minimum land pattern size.

A992 = Device Code

= F / FA / FB

YWW = Date Code

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 4 of

this data sheet.

Publication Order Number:

April, 2021 − Rev. 3

KSA992/D

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KSA992FD27Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
KSA992FTA	FAIRCHILD	获取价格	PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/A
KSA992FTA	ONSEMI	获取价格	PNP外延硅晶体管
KSA992J18Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
KSA992P	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
KSA992PBU	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
KSA992PD75Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
KSA992PJ18Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
KSA992PTA	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
KSAC1	MMD	获取价格	Plastic SMD Package

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