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KSA940H1TU PDF预览

KSA940H1TU

更新时间： 2024-10-28 19:55:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 59K
描述
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSA940H1TU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.7最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

KSA940H1TU 数据手册

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KSA940  
Vertical Deflection Output Power Amplifier  
•
Complement to KSC2073  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
- 150  
- 150  
- 5  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
CEO  
EBO  
V
I
I
- 1.5  
A
C
Base Current  
- 0.5  
A
B
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.5  
W
W
°C  
°C  
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
25  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
- 10  
- 10  
140  
Units  
I
I
V
V
V
= - 120V, I = 0  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
= - 5V, I = 0  
C
h
DC Current Gain  
= - 10V, I = - 500mA  
40  
75  
FE  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I
= - 500mA, I = - 50mA  
- 1.5  
V
V
CE  
C
B
V
V
V
= - 10V, I = - 500mA  
- 0.65 - 0.75 - 0.85  
BE  
CE  
CE  
CB  
C
f
= - 10V, I = - 500mA  
4
MHz  
pF  
T
C
C
= - 10V, I = 0  
55  
ob  
E
f = 1MHz  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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