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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92S |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 160 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSA811 | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S, 3 |
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| KSA812 | SAMSUNG |
获取价格 |
PNP (LOW FREQUENCY AMPLIFIER) |
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| KSA812 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Frequency Amplifier |
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| KSA812GAMTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| KSA812GMTF | ROCHESTER |
获取价格 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| KSA812LD87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| KSA812LMTF | ROCHESTER |
获取价格 |
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| KSA812LMTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, SOT23, JEDEC TO-236, LOW PROFILE, 3000/TAPE REEL |
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| KSA812OMTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Frequency Amplifier |
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| KSA812S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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