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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP20,.3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.92 | JESD-30 代码： | R-PDIP-T20 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 20 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP20,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Bus Controllers |
| 最大压摆率： | 5 mA | 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KS82C88A-10CL | SAMSUNG |
获取价格 |
Control/Command Signal Generator, 10MHz, CMOS, PQCC20, PLASTIC, LCC-20 |
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| KS82C88A-10IL | SAMSUNG |
获取价格 |
Control/Command Signal Generator, 10MHz, CMOS, PQCC20, PLASTIC, LCC-20 |
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| KS82C88A-10IP | SAMSUNG |
获取价格 |
Control/Command Signal Generator, 10MHz, CMOS, PDIP20, PLASTIC, DIP-20 |
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| KS82C88A-8CL | SAMSUNG |
获取价格 |
Control/Command Signal Generator, 8MHz, CMOS, PQCC20, PLASTIC, LCC-20 |
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| KS82C88A-8IL | SAMSUNG |
获取价格 |
Control/Command Signal Generator, 8MHz, CMOS, PQCC20, PLASTIC, LCC-20 |
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| KS82C88A-8IP | SAMSUNG |
获取价格 |
Control/Command Signal Generator, 8MHz, CMOS, PDIP20, PLASTIC, DIP-20 |
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| KS8303 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, |
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| KS8304 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, |
|
| KS8380 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, |
|
| KS8381 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, |
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