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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.85 |
| 其他特性： | LOW DISTORTION | 应用： | ATTENUATOR; LIMITER; SWITCHING |
| 最小击穿电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最大二极管电容： | 0.3 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 最大二极管正向电阻： | 1.5 Ω | 二极管类型： | PIN DIODE |
| 频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 少数载流子标称寿命： | 0.1 µs |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 技术： | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KS8304 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, |
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| KS8380 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, |
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| KS8381 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, |
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| KS84C31 | SAMSUNG |
获取价格 |
DYNAMIC RAM CONTROLLERS |
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| KS84C31-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Memory Controller, CMOS, PQCC68 |
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| KS84C31-25CL | SAMSUNG |
获取价格 |
DYNAMIC RAM CONTROLLERS |
|
| KS84C31-33 | SAMSUNG |
获取价格 |
Memory Controller, CMOS, PQCC68 |
|
| KS84C31-33CL | SAMSUNG |
获取价格 |
DYNAMIC RAM CONTROLLERS |
|
| KS84C31-40CL | SAMSUNG |
获取价格 |
DYNAMIC RAM CONTROLLERS |
|
| KS84C31-XXX | SAMSUNG |
获取价格 |
DYNAMIC RAM CONTROLLERS |
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