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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | QFP, QFP160,1.2SQ | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8542.31.00.01 |
| 风险等级： | 5.92 | 具有ADC： | NO |
| 地址总线宽度： | 22 | 位大小： | 32 |
| 最大时钟频率： | 25 MHz | DAC 通道： | NO |
| DMA 通道： | YES | 外部数据总线宽度： | 32 |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G16 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 28 mm | I/O 线路数量： | 16 |
| 端子数量： | 16 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | PWM 通道： | NO | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | QFP160,1.2SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4 mm | 子类别： | Other Microprocessor ICs |
| 最大压摆率： | 150 mA | 最大供电电压： | 5.25 V |
| 最小供电电压： | 4.75 V | 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 28 mm | uPs/uCs/外围集成电路类型： | MICROCONTROLLER, RISC |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KS32C6100 | SAMSUNG |
获取价格 |
RISC Microcontroller, 32-Bit, 33MHz, CMOS, PQFP208, QFP-208 |
|
| KS32C6200 | SAMSUNG |
获取价格 |
RISC Microcontroller, 32-Bit, 33MHz, CMOS, PQFP160, 24 X 24 MM, TQFP-160 |
|
| KS32C6400 | SAMSUNG |
获取价格 |
RISC Microcontroller, 32-Bit, 40MHz, CMOS, PQFP16, QFP-160 |
|
| KS32C6500Q | SAMSUNG |
获取价格 |
RISC Microcontroller, 32-Bit, 33MHz, CMOS, PQFP16, QFP-160 |
|
| KS32P6632-LC | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash Memory Drive, 1.25MBps, IDE Compatible, CMOS, PQFP144, 20 X 20 MM, LQFP-144 |
|
| KS32P6632-TX | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash Memory Drive, 1.25MBps, IDE Compatible, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, TQFP-100 |
|
| KS33J4 | SECOS |
获取价格 |
40 W Transient Voltage Suppressor Diode |
|
| KS33K5 | SECOS |
获取价格 |
40 W Transient Voltage Suppressor Diode |
|
| KS350-65 | YANGJIE |
获取价格 |
TS8D |
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| KS3542 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 35V V(BR), Silicon, DO-34, |
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