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KRC885T PDF预览

KRC885T

更新时间： 2024-11-17 23:15:11
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KEC 晶体开关晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 389K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, AUDIO MUTING)

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KRC885T 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.78
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.3 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：350JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzBase Number Matches：1

KRC885T 数据手册

 浏览型号KRC885T的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KRC881T~KRC886T  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
SWITCHING APPLICATION.  
AUDIO MUTING APPLICATION.  
E
K
1
B
K
6
FEATURES  
DIM MILLIMETERS  
_
High emitter-base voltage : VEBO=25V(Min)  
High reverse hFE : reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA)  
Low on resistance : Ron=1 (Typ.) (IB=5mA)  
With Built-in Bias Resistors.  
A
B
C
D
E
2.9+0.2  
1.6+0.2/-0.1  
_
0.70+0.05  
_
+
0.4 0.1  
2
5
2.8+0.2/-0.3  
_
1.9+0.2  
F
G
H
I
3
4
0.95  
Simplify Circuit Design.  
_
0.16+0.05  
0.00-0.10  
0.25+0.25/-0.15  
0.60  
Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.  
J
K
L
0.55  
EQUIVALENT CIRCUIT  
I
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)  
H
J
J
6
5
4
C
1. Q EMITTER  
1
2. Q BASE  
1
3. Q COLLECTOR  
2
R1  
4. Q EMITTER  
2
B
5. Q BASE  
2
6. Q COLLECTOR  
1
Q1  
Q2  
E
TS6  
1
2
3
MAXIMUM RATING (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
50  
UNIT  
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
20  
V
25  
V
Collector Current  
300  
mA  
W
PC *  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
0.9  
Tj  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
* Package mounted on a ceramic board (600  
-55 150  
0.8  
)
MARK SPEC  
hFE classification  
TYPE  
Marking  
B
6
5
4
Lot No.  
KRC881T  
KRC882T  
KRC883T  
KRC884T  
KRC885T  
KRC886T  
MQB  
MRB  
MSB  
MTB  
MUB  
MVB  
h
Rank  
FE  
Type Name  
1
2
3
2002. 12. 5  
Revision No : 2  
1/2  
12

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