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KRC120M

更新时间: 2024-11-17 22:47:31
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KEC 晶体开关晶体管驱动局域网
页数 文件大小 规格书
2页 179K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

KRC120M 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92M
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.77
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):24JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHzBase Number Matches:1

KRC120M 数据手册

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