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KRA731U

更新时间： 2024-11-28 22:24:27
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体开关晶体管光电二极管驱动局域网
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

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KRA731U 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.78Is Samacsys：N
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

KRA731U 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KRA730U~KRA734U  
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
SWITCHING APPLICATION.  
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.  
B
FEATURES  
B1  
With Built-in Bias Resistors.  
Simplify Circuit Design.  
DIM MILLIMETERS  
_
1
2
3
6
5
4
A
A1  
B
2.00+0.20  
_
1.3+0.1  
Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.  
High Packing Density.  
_
2.1+0.1  
D
_
1.25+0.1  
B1  
C
0.65  
0.2+0.10/-0.05  
0-0.1  
D
G
_
0.9+0.1  
H
T
0.15+0.1/-0.05  
T
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)  
EQUIVALENT CIRCUIT  
6
5
4
G
C
1. Q EMITTER  
1
R1  
2. Q EMITTER  
2
B
3. Q BASE  
2
Q1  
Q2  
4. Q COLLECTOR  
2
5. Q BASE  
1
6. Q COLLECTOR  
1
E
1
2
3
US6  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
SYMBOL RATING UNIT  
CHARACTERISTIC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
SYMBOL RATING UNIT  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-50  
-50  
-5  
V
V
PC *  
Tj  
200  
150  
mW  
V
Tstg  
Storage TemperatureRange  
-55 150  
* Total Rating.  
Collector Current  
-100  
mA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
SYMBOL  
ICBO  
IEBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
VCB=-50V, IE=0  
Collector Cut-off Current  
-
-
-
-100  
-100  
-
nA  
nA  
VEB=-5V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
-
120  
-
hFE  
VCE=-5V, IC=-1mA  
IC=-10mA, IB=-0.5mA  
VCE=-10V, IC=-5mA  
DC Current Gain  
-
VCE(sat)  
fT *  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
-0.1  
250  
-0.3  
-
V
-
MHz  
KRA730U  
KRA731U  
-
-
-
-
-
4.7  
10  
-
-
-
-
-
KRA732U  
KRA733U  
KRA734U  
R1  
100  
22  
Input Resistor  
k
47  
Note : * Characteristic of transistor only.  
Marking  
Type Name  
6
5
4
MARK SPEC  
TYPE  
KRA730U  
JK  
KRA731U  
JM  
KRA732U  
JN  
KRA733U  
JO  
KRA734U  
JP  
MARK  
1
2
3
2002. 7. 9  
Revision No : 2  
1/4  
1234

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