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KRA354

更新时间： 2024-11-23 11:31:27

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USM PACKAGE

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KRA354 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	56
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz

KRA354 数据手册

SEMICONDUCTOR

MARKING SPECIFICATION

KRA354

USM PACKAGE

1. Marking method

Laser Marking

2. Marking

No.

Item

Marking

Description

KRA354

Device Mark

hFE Grade

2006. 1st Week

[0:1st Character, 1:2nd Character]

* Lot No.

Note) * Lot No. marking method

(A)

(B)

(C)

(D)

(E)

(F)

(G)

(H)

(I)

(J)

1 st Character

Character

arrangement

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

(7)

(8)

(9)

(0)

2nd Character

Year

Marking (Week)

Periode (Year)

Remark

1 st Year (2006)

2 nd Year (2007)

4 rd Year (2008)

4 th Year (2009)

2006-2010-2014...

2007-2011-2015...

2008-2012-2016...

2009-2013-2017...

Rotation for 4 years

2008. 8. 29

Revision No : 0

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