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KRA120S

更新时间: 2024-09-20 22:47:31
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KEC 晶体开关晶体管光电二极管驱动局域网
页数 文件大小 规格书
2页 183K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

KRA120S 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.78
Is Samacsys:N其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):24
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
Base Number Matches:1

KRA120S 数据手册

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