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KRA224

更新时间： 2024-09-21 05:41:03

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KEC		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
5页	68K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

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KRA224 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	56
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

KRA224 数据手册

SEMICONDUCTOR

KRA221~KRA226

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION.

INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.

FEATURES

· With Built-in Bias Resistors.

· Simplify Circuit Design.

· Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.

· High Output Current :-800mA.

DIM MILLIMETERS

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

1.00

1.27

0.85

0.45

14.00 +0.50

0.55 MAX

2.30

0.45 MAX

1.00

EQUIVALENT CIRCUIT

BIAS RESISTOR VALUES

TYPE NO.

KRA221

KRA222

KRA223

KRA224

KRA225

KRA226

R1(kΩ ) R2(kΩ )

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

OUT

2.2

4.7

2.2

4.7

TO-92

COMMON(+)

2.2

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_O

RATING

-50

UNIT

Output Voltage

KRA221∼ 226

KRA221

KRA222

KRA223

KRA224

KRA225

KRA226

-10, 10

-12, 10

-20, 10

-30, 10

-10, 5

-12, 6

-800

V_I

Input Voltage

I_O

P_D

T_j

Output Current

℃

Power Dissipation

625

KRA221∼ 226

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

-55∼ 150

℃

2009. 2. 25

Revision No : 0

1/5

12 3 4 5

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