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KRA102

更新时间： 2024-01-07 07:37:53

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KEC		晶体晶体管开关局域网
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6页	68K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

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KRA102 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.5	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

KRA102 数据手册

KRA101~KRA106

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

I_O(OFF)

TEST CONDITION

V_O=-50V, V_I=0

MIN.

TYP. MAX.

UNIT

Output Cut-off Current

DC Current Gain

Output Voltage

-500

KRA101∼ 106

KRA101

KRA102

KRA103

120

200

-0.1

-1.5

-1.8

-2.1

-2.8

-0.8

-0.9

-1.2

-0.65

200

G_I

V_O=-5V, I_O=-10mA

I_O=-10mA, I_I=-0.5mA

V_O=-0.2V, I_O=-5mA

KRA104

KRA105

KRA106

V_O(ON)

-0.3

-2.0

-2.4

-3.0

-5.0

-1.1

-1.3

KRA101∼ 106

KRA101

KRA102

KRA103

V_I(ON)

Input Voltage (ON)

KRA104

KRA105

KRA106

-1.0

-0.5

KRA101∼ 104

KRA105∼ 106

KRA101∼ 106

KRA101

V_I(OFF)

f_T*

V_O=-5V, I_O=-0.1mA

V_O=-10V, I_O=-5mA

Input Votlage (OFF)

Transition Frequency

MHz

-1.8

-0.88

-0.36

-0.18

-3.6

-1.8

6.11

KRA102

KRA103

I_I

V_I=-5V

Input Current

KRA104

KRA105

KRA106

KRA101

3.29

4.7

KRA102

KRA103

15.4

32.9

1.54

3.29

0.8

28.6

61.1

2.86

6.11

1.2

Input Resistor

Resistor Ratio

kΩ

KRA104

KRA105

2.2

4.7

1.0

KRA106

KRA101~104

KRA105

R2/R1

KRA106

Note : *Characteristic of Transistor Only

2009. 2. 25

Revision No : 0

2/6

123 4 5 6

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