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KRA106

更新时间： 2024-01-02 10:34:08

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6页	68K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

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KRA106 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.74
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 10	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

KRA106 数据手册

SEMICONDUCTOR

KRA101~KRA106

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

SWITCHING APPLICATION.

INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.

FEATURES

· With Built-in Bias Resistors.

· Simplify Circuit Design.

· Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.

DIM MILLIMETERS

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

1.00

1.27

0.85

0.45

14.00 +0.50

0.55 MAX

2.30

EQUIVALENT CIRCUIT

BIAS RESISTOR VALUES

0.45 MAX

1.00

TYPE NO.

KRA101

KRA102

KRA103

KRA104

KRA105

KRA106

R1(kΩ ) R2(kΩ )

OUT

4.7

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

TO-92

2.2

4.7

COMMON(+)

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_O

RATING

-50

UNIT

Output Voltage

KRA101∼ 106

KRA101

KRA102

KRA103

KRA104

KRA105

KRA106

-20, 10

-30, 10

-40, 10

-12, 5

-20, 5

-100

V_I

Input Voltage

I_O

P_D

T_j

Output Current

℃

Power Dissipation

625

KRA101∼ 106

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

-55∼ 150

℃

2009. 2. 25

Revision No : 0

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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