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KRA109

更新时间： 2024-02-29 16:27:09

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4页	48K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

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KRA109 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.76
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 0.47	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

KRA109 数据手册

SEMICONDUCTOR

KRA107~KRA109

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

SWITCHING APPLICATION.

INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.

FEATURES

· With Built-in Bias Resistors

· Simplify Circuit Design

· Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process

DIM MILLIMETERS

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

1.00

1.27

0.85

EQUIVALENT CIRCUIT

BIAS RESISTOR VALUES

0.45

14.00 +0.50

TYPE NO.

KRA107

KRA108

KRA109

R1(kΩ ) R2(kΩ )

0.55 MAX

2.30

OUT

0.45 MAX

1.00

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

COMMON(+)

TO-92

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_O

RATING

UNIT

Output Voltage

Input Voltage

-50

-30, 6

-40, 7

-40, 15

-100

KRA107∼ 109

KRA107

KRA108

KRA109

V_I

I_O

P_D

T_j

Output Current

℃

Power Dissipation

625

KRA107∼ 109

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

-55∼ 150

℃

2009. 2. 25

Revision No : 0

1/4

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