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KMM5816100T-8

更新时间： 2024-02-06 18:48:52

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	50K
描述
Fast Page DRAM Module, 16MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30

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KMM5816100T-8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	SIMM, SIM30	针数：	30
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XSMA-N30
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	30
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	SIMM	封装等效代码：	SIM30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	22.86 mm
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.72 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KMM58256-15	SAMSUNG	Page Mode DRAM, 256KX8, 150ns, CMOS, PSMA30	获取价格
KMM58256BN-10	SAMSUNG	Fast Page DRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, SIMM-30	获取价格
KMM58256BN-7	SAMSUNG	Fast Page DRAM Module, 256KX8, 70ns, CMOS, SIMM-30	获取价格
KMM58256CN-6	SAMSUNG	Fast Page DRAM Module, 256KX8, 60ns, CMOS, SIMM-30	获取价格
KMM58256CN-7	SAMSUNG	Fast Page DRAM Module, 256KX8, 70ns, CMOS, SIMM-30	获取价格
KMM58256CN-8	SAMSUNG	Fast Page DRAM Module, 256KX8, 80ns, CMOS, SIMM-30	获取价格