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KMM58256CN-8

更新时间： 2024-01-22 00:56:45

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	53K
描述
Fast Page DRAM Module, 256KX8, 80ns, CMOS, SIMM-30

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KMM58256CN-8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	SIMM, SIM30	针数：	30
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XSMA-N30	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	30	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	SIMM
封装等效代码：	SIM30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KMM58257-12	SAMSUNG	Nibble Mode DRAM, 256KX8, 120ns, MOS, PSMA30	获取价格
KMM58257-15	SAMSUNG	Nibble Mode DRAM, 256KX8, 150ns, MOS, PSMA30	获取价格
KMM584000A-10	SAMSUNG	Fast Page DRAM Module, 4MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30	获取价格
KMM584000A-8	SAMSUNG	Fast Page DRAM Module, 4MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30	获取价格
KMM584000B-7	SAMSUNG	Fast Page DRAM Module, 4MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30	获取价格
KMM584000C1-5	SAMSUNG	Fast Page DRAM Module, 4MX8, 50ns, CMOS, SIMM-30	获取价格