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KMM584100AN-5

更新时间： 2024-02-29 13:58:56

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
6页	152K
描述
Fast Page DRAM Module, 4MX8, 50ns, CMOS, SIMM-30

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KMM584100AN-5 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	,	针数：	30
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-XSMA-N30
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	30
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KMM584100AN-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX8, 60ns, CMOS, SIMM-30
KMM584100N-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX8, 60ns, CMOS, SIMM-30
KMM584100N-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30
KMM59	TYSEMI	获取价格	SILICON PLANAR ZENER DIODES
KMM591000AN-10	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, SIMM-30
KMM591000AN-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX9, 70ns, CMOS, SIMM-30
KMM591000AN-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30
KMM591000B-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30
KMM591000BN-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX9, 60ns, CMOS, SIMM-30
KMM591000CN-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX9, 60ns, CMOS, SIMM-30