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KMM581000B-6

更新时间: 2024-02-25 21:20:28
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 243K
描述
Fast Page DRAM Module, 1MX8, 60ns, CMOS, SIMM-30

KMM581000B-6 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:SIMM, SIM30针数:30
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XSMA-N30内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:30字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:SIMM
封装等效代码:SIM30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
座面最大高度:20.447 mm最大待机电流:0.008 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.72 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:2.54 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

KMM581000B-6 数据手册

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