5秒后页面跳转
KMM383L3223AT-GY PDF预览

KMM383L3223AT-GY

更新时间: 2024-11-25 20:54:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 158K
描述
DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184

KMM383L3223AT-GY 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:,针数:184
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.84
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-XDMA-N184
内存密度:2415919104 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:72功能数量:1
端口数量:2端子数量:184
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX72
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

KMM383L3223AT-GY 数据手册

 浏览型号KMM383L3223AT-GY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KMM383L3223AT-GY的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KMM383L3223AT-GY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KMM383L3223AT-GY的Datasheet PDF文件第5页浏览型号KMM383L3223AT-GY的Datasheet PDF文件第6页浏览型号KMM383L3223AT-GY的Datasheet PDF文件第7页 
Preliminary  
KMM383L3223AT  
184pin Registered DDR SDRAM MODULE  
256MB DDR SDRAM MODULE  
(32Mx72 based on 32Mx8 DDR SDRAM)  
Registered 184pin DIMM  
72-bit ECC/Parity  
Revision 0.0  
Sep. 1999  
Rev. 0.0 Sep. 1999  

与KMM383L3223AT-GY相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KMM383L3223AT-GZ SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
KMM383L3313BT-5 SAMSUNG

获取价格

DRAM
KMM383L3313BT-6 SAMSUNG

获取价格

DRAM
KMM383L3313BT-FY SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
KMM383L3313BT-FZ SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
KMM383L3313BT-GY SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
KMM383L3313BT-GZ SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
KMM383L6423AT-F0 SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184
KMM383L6423AT-GY SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
KMM383L6423AT-GZ SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184