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KMM372F404BS-5

更新时间: 2024-11-11 21:17:19
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 461K
描述
EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS

KMM372F404BS-5 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:50 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N168内存密度:301989888 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:72
功能数量:1端口数量:1
端子数量:168字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX72输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM168封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
自我刷新:NO最大待机电流:0.03 A
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:0.66 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

KMM372F404BS-5 数据手册

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