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KMM366F1608BK3

更新时间: 2024-11-25 14:51:55
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 470K
描述
EDO DRAM Module, 16MX64, 50ns, CMOS

KMM366F1608BK3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:50 nsJESD-30 代码:R-XDMA-N168
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:168
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX64
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KMM366F1608BK3 数据手册

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