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KMM332V204AT-L8

更新时间： 2024-11-21 14:51:55

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
6页	186K
描述
Fast Page DRAM Module, 2MX32, 80ns, CMOS, DIMM-72

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KMM332V204AT-L8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM72	针数：	72
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度：	16	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N72	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	72	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM72	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	25.4 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.004 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.144 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KMM332V213AJ-L6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72
KMM332V213AT-L6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72
KMM332V213BS-L6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72
KMM332V224AT-L6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS
KMM332V400AJ-L6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72
KMM332V400AJ-L7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, DIMM-72
KMM332V400AT-L6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72
KMM332V400BS-L5	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SODIMM-72
KMM332V404BZ-L5	SAMSUNG	获取价格	DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, PDMA72, SODIMM-72
KMM332V410AJ-L8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 80ns, CMOS, DIMM-72