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KMM332V224AT-L6

更新时间: 2024-11-21 14:51:55
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 225K
描述
Fast Page DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS

KMM332V224AT-L6 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM72
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEELF REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N72内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:72字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM72封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:25.4 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.3 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KMM332V224AT-L6 数据手册

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