Datasheet > KM616U4010CLZI-8L0

KM616U4010CLZI-8L0

更新时间： 2024-02-28 07:02:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	178K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KM616U4010CLZI-8L0 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	85 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
长度：	8.9 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.94 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	6.1 mm	Base Number Matches：	1

KM616V4010C, KM616U4010C Family

CMOS SRAM

Document Title

256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

with 48-CSP(Chip Scale Package)

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

0.01

0.1

Initial draft

- UB/LB power control

Errata correction

July 4, 1998

Preliminary

August 17, 1998

Revise

September 11, 1998 Preliminary

- Add 3,3V product : KM616V4010C

1.0

Revise

October 2, 1998

Final

The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and

products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.

Revision 1.0

October 1998

12 3 4 5 6 7...9

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KM616U4110CLZI-8L	SAMSUNG	Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, MICRO, BGA-48	获取价格
KM616V1000BLRI-10L	SAMSUNG	Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44	获取价格
KM616V1000BLT-10L	SAMSUNG	Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	获取价格
KM616V1000BLT-7L	SAMSUNG	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	获取价格
KM616V1000BLTI-10	SAMSUNG	Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	获取价格
KM616V1000LG-7L	SAMSUNG	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, SOP	获取价格