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KM49C512ALTR-6

更新时间: 2024-11-03 13:31:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 63K
描述
Fast Page DRAM, 512KX9, 60ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28

KM49C512ALTR-6 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP2-R, TSOP28,.46针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.91
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0长度:18.41 mm
内存密度:4718592 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:9功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2-R封装等效代码:TSOP28,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
反向引出线:YES座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:NO最大待机电流:0.0002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.1 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

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